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射頻磁控濺射鍍膜裝置/磁控濺射鍍膜裝置 型號；ZH21-HRM-1
可開設(shè)的實驗
1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理；
2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍；
3、磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質(zhì)膜等薄膜。
主要參數(shù)
1、濺射鍍膜室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm3；
2、濺射鍍膜室本底真空：≤1Pa；濺射腔限真空：6×10-1Pa；
3、濺射靶：Φ50mm，濺射靶臺和濺射靶可調(diào)距離：20～60mm；
4、基片加熱溫度可控范圍：室溫～300℃；
5、射頻源率：500W，13.56MHz；
6、氣路系統(tǒng)：由兩路轉(zhuǎn)子量計控制（可選配質(zhì)量量計）；
7、真空系統(tǒng)：2XZ-4型旋片真空泵，抽氣速率：4L/S，單相220V交電源供電；
8、對過過壓、斷路等異常情況行報警，并執(zhí)行相應(yīng)保護措施；
9、供電電源：AC220V，50Hz，整機率2KW。
當前位置：